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Sandro Rao

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Qualifica: Ricercatore universitario a tempo determinato
Telefono: +39 0965 1693274
Altro recapito: +3909651693274
Fax:
Indirizzo e-mail:  Indirizzo e-mail
Curriculum:  -
Struttura di appartenenza: Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione, delle Infrastrutture e dell'Energia Sostenibile

Anno Accademico 2020/2021


Anno Accademico 2019/2020


Anno Accademico 2018/2019

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Anno Accademico 2017/2018

Nessun insegnamento associato

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Elenco dei ricevimenti:

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Pubblicazioni

  1. 1. Francesco G. Della Corte, Giovanni Pangallo, Riccardo Carotenuto, Demetrio Iero, Giuseppe Marra, Massimo Merenda, Sandro Rao, Temperature Sensing Characteristics and Long Term Stability of Power LEDs Used for Voltage vs. Junction Temperature Measurements and Related Procedure, "Ieee access", Articolo in rivista, n. 8, 2020, pp. 43057-43066, ISSN: 2169-3536.
  2. 2. Giovanni Pangallo, Sandro Rao, Giovanna Adinolfi, Giorgio Graditi, Francesco Della Corte, Power MOSFET Intrinsic Diode as a Highly Linear Junction Temperature Sensor, "Ieee sensors journal", Articolo in rivista, n. 19, 2019, pp. 11034-11040, ISSN: 1530-437X.
  3. 3. Zeghdar K., Dehimi L., Pezzimenti F., Rao S., F. G. Della Corte, Simulation and analysis of the current-voltage-temperature characteristics of Al/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes, "Japanese journal of applied physics", Articolo in rivista, n. 58, 2019, pp. 14002, ISSN: 0021-4922.
  4. 4. F. Della Corte, I. Giglio, G. Pangallo, Rao Sandro, Electro-Optical Modulation in a 4H-SiC Slab Induced by Carrier Depletion in a Schottky Diode, "Ieee photonics technology letters", Articolo in rivista, n. 30, 2018, pp. 877-880, ISSN: 1041-1135.
  5. 5. Sandro Rao, Giovanni Pangallo, Luigi Di Benedetto, Alfredo Rubino, Gian Domenico Licciardo, Francesco Della Corte, A V2O5/4H-SiC Schottky diode-based PTAT sensor operating in a wide range of bias currents, "Sensors and actuators. a, physical", Articolo in rivista, n. 269, 2018, pp. 171-174, ISSN: 0924-4247.
  6. 6. L. Di Benedetto, G. D. Licciardo, S. Rao, G. Pangallo, F. Della Corte, A. Rubino, V2O5/ 4H-SiC Schottky Diode Temperature Sensor, "Ieee transactions on electron devices", Articolo in rivista, n. 65, 2018, pp. 687-694, ISSN: 0018-9383.
  7. 7. Lanuzza Marco, Crupi Felice, Rao Sandro, De Rose Raffaele, Strangio Sebastiano, Iannaccone Giuseppe, An Ultralow-Voltage Energy-Efficient Level Shifter, "Ieee transactions on circuits and systems. ii, express briefs", Articolo in rivista, n. 64, 2017, pp. 61-65, ISSN: 1549-7747.
  8. 8. Lanuzza Marco, Crupi Felice, Rao Sandro, De Rose Raffaele, Iannaccone Giuseppe, Low energy/delay overhead level shifter for wide-range voltage conversion, "International journal of circuit theory and applications", Articolo in rivista, n. 45, 2017, pp. 1637-1646, ISSN: 0098-9886.
  9. 9. Sandro Rao, Giovanni Pangallo, Luigi Di Benedetto, Alfredo Rubino, Giandomenico Licciardo, Francesco Della Corte, Divanadium Pentoxide/4H-silicon Carbide, "Procedia engineering", Articolo in rivista, n. 168, 2016, pp. 1003-1006, ISSN: 1877-7058.
  10. 10. Sandro Rao, Giovanni Pangallo, Francesco Della Corte, Integrated amorphous silicon p-i-n temperature sensor for CMOS photonics, "Sensors", Articolo in rivista, n. 16, 2016, ISSN: 1424-8220.
  11. 11. Sandro Rao, Giovanni Pangallo, Francesco Della Corte, 4H-SiC p-i-n diode as highly linear temperature sensor, "Ieee transactions on electron devices", Articolo in rivista, n. 63, 2016, pp. 414-418, ISSN: 0018-9383.
  12. 12. S. Rao, L. Di Benedetto, G. Pangallo, A. Rubino, S. Bellone, F. Della Corte, 85-440 K Temperature Sensor Based on a 4H-SiC Schottky Diode, "Ieee sensors journal", Articolo in rivista, n. 16, 2016, pp. 6537-6542, ISSN: 1530-437X.
  13. 13. Sandro Rao, Maurizio Casalino, Giuseppe Coppola, Francesco Della Corte, Capacitance in Waveguide-Integrated Hydrogenated Amorphous Silicon p-i-n Diodes for Active Photonic Devices, "Journal of nanoelectronics and optoelectronics", Articolo in rivista, n. 11, 2016, pp. 1-6, ISSN: 1555-130X.
  14. 14. Rao S., Pangallo G., Francesco Della Corte, An Experimental Study on the Performance of Two Temperature Sensors Based on 4H-SiC Diodes, "Procedia engineering", Articolo in rivista, n. 168, 2016, pp. 729-732, ISSN: 1877-7058.
  15. 15. M. Casalino, G. Coppola, L. De Stefano, A. Calio, I. Rea, V. Mocella, P. Dardano, S. Romano, S. Rao, I. Rendina, New perspectives in silicon micro and nanophotonics, "Journal of the european optical society. rapid publications", Articolo in rivista, n. 10, 2015, ISSN: 1990-2573.
  16. 16. S. Rao, G. Pangallo, F. Pezzimenti, F. G. Della Corte, High-Performance Temperature Sensor Based on 4H-SiC Schottky Diodes, "Ieee electron device letters", Articolo in rivista, n. 36, 2015, pp. 720-722, ISSN: 0741-3106.
  17. 17. Sandro Rao, Giovanni Pangallo, Francesco Della Corte, Highly Linear Temperature Sensor Based on 4H-Silicon Carbide p-i-n Diodes, "Ieee electron device letters", Articolo in rivista, n. 36, 2015, pp. 1205-1208, ISSN: 0741-3106.
  18. 18. M. L. Megherbi, F. Pezzimenti, L. Dehimi, S. Rao, F. G. Della Corte, Analysis of different forward current-voltage behaviours of Al implanted 4H-SiC vertical p-i-n diodes, "Solid-state electronics", Articolo in rivista, n. 109, 2015, pp. 12-16, ISSN: 0038-1101.
  19. 19. S. Rao, F. G. Della Corte, Della Corte Francesco Giuseppe, Numerical Analysis of Electro-Optical Modulators Based on the Amorphous Silicon Technology, "Journal of lightwave technology", Articolo in rivista, n. 32, 2014, pp. 2399-2407, ISSN: 0733-8724.
  20. 20. S. Rao, G. Coppola, C Summonte, F. G. Della Corte, Della Corte Francesco Giuseppe, Progress towards a high-performing a-Si:H-based electro-optic modulator, "Journal of optics", Articolo in rivista, n. 16, 2014, pp. 55501-1, ISSN: 2040-8978.
  21. 21. M. Casalino, M. Iodice, L. Sirleto, S. Rao, I. Rendina, G. Coppola, Low dark current silicon-on-insulator waveguide metal-semiconductor-metal-photodetector based on internal photoemissions at 1550?nm, "Journal of applied physics", Articolo in rivista, n. 114, 2013, ISSN: 0021-8979.
  22. 22. S. Rao, G. Coppola, M. Gioffrè, Della Corte Francesco Giuseppe, Hydrogenated amorphous silicon multi-SOI waveguide modulator with low voltage-length product, "Optics and laser technology", Articolo in rivista, n. 45, 2013, pp. 204-208, ISSN: 0030-3992.
  23. 23. F. G. Della Corte, S. Rao, Della Corte Francesco Giuseppe, Use of amorphous silicon for active photonic devices, "Ieee transactions on electron devices", Articolo in rivista, n. 60, 2013, pp. 1495-1505, ISSN: 0018-9383.
  24. 24. S. Rao, G. Coppola, C. Summonte, M. A. Gioffrè, F. G. Della Corte, Della Corte Francesco Giuseppe, Electro-optical effect in hydrogenated amorphous silicon-based waveguide-integrated p-i-n and p-i-p configurations, "Optical engineering", Articolo in rivista, n. 52, 2013, pp. 87110-1, ISSN: 0091-3286.
  25. 25. Rao Sandro, Hydrogenated amorphous silicon phase-change device based on a p-i-p waveguiding configuration, "Optics and laser technology", Articolo in rivista, n. 53, 2013, pp. 17-21, ISSN: 0030-3992.
  26. 26. S. Rao, C. D?addio, F. G. Della Corte, Della Corte Francesco Giuseppe, All-optical modulation in a CMOS-compatible amorphous silicon-based device, "Journal of the european optical society. rapid publications", Articolo in rivista, n. 7, 2012, pp. 12023-1, ISSN: 1990-2573.
  27. 27. S. Rao, G. Coppola, M. A. Gioffrè, F. G. Della Corte, Della Corte Francesco Giuseppe, A 2.5 ns switching time mach-zehnder modulator in as-deposited a-Si:H, "Optics express", Articolo in rivista, n. 20, 2012, pp. 9351-9356, ISSN: 1094-4087.
  28. 28. S. Rao, F. G. Della Corte, Della Corte Francesco Giuseppe, 1.55 um silicon-based reflection-type waveguide-integrated thermo-optic 2 ×2 switch, "Optik", Articolo in rivista, n. 123, 2012, pp. 467-469, ISSN: 0030-4026.
  29. 29. Sandro Rao, Francesco Della Corte, Caterina Summonte, Amorphous silicon waveguides grown by PECVD on an Indium Tin Oxide buried contact, "Optics communications", Articolo in rivista, n. 285, 2012, pp. 3088-3092, ISSN: 0030-4018.
  30. 30. Della Corte Francesco Giuseppe, S. Rao, G. Coppola, C. Summonte, Electro-optical modulation at 1550 nm in an as-deposited hydrogenated amorphous silicon p-i-n waveguiding device, "Optics express", Articolo in rivista, n. 19, 2011, pp. 2941-2951, ISSN: 1094-4087.
  31. 31. Sandro Rao, Francesco Della Corte, Caterina Summonte, Francesco Suriano, Electro-optical modulating device based on a CMOS-compatible a-Si:H/a-SiCN multistack multistack waveguide, "Ieee journal of selected topics in quantum electronics", Articolo in rivista, n. 16, 2010, pp. 173-178, ISSN: 1077-260X.
  32. 32. S. Rao, F. G. Della Corte, Della Corte Francesco Giuseppe, Electro-optical modulating multistack device based on the CMOS-compatible technology of amorphous silicon, "Journal of the european optical society. rapid publications", Articolo in rivista, n. 5, 2010, pp. 10040-1, ISSN: 1990-2573.
  33. 33. S. Rao, F. G. Della Corte, C. Summonte, Della Corte Francesco Giuseppe, Low-loss amorphous silicon waveguides grown by PECVD on indium tin oxide, "Journal of the european optical society. rapid publications", Articolo in rivista, n. 5, 2010, pp. 10039-1, ISSN: 1990-2573.
  34. 34. S. Rao, F. G. Della Corte, C. Summonte, Della Corte Francesco Giuseppe, Electro-optically induced absorption in a-Si:H/a-SiCN waveguiding multistacks, "Journal of the european optical society. rapid publications", Articolo in rivista, n. 5, 2010, pp. 10002-1, ISSN: 1990-2573.
  35. 35. F. G. Della Corte, S. Rao, M. A. Nigro, C. Summonte, F. Suriano, Della Corte Francesco Giuseppe, Electro-optically induced absorption in a-Si:H/a-SiCN waveguiding multistacks, "Optics express", Articolo in rivista, n. 16, 2008, pp. 7540-7550, ISSN: 1094-4087.


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